浩辰CAD教程之电气自定义线缆

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因此，电气凝固晶界的迁移是晶界趋向于平衡态的过程，即达到能量最低状态，直观反映为晶界面积的减少。图3为利用上述模型对四个镁合金中凝固晶界迁移的预测，自定图中曲线斜率越大，自定表明在相同溶质成分时凝固晶界迁移的阻力因子就越大，即越不容易迁移。

研究发现:(i)凝固晶界迁移的程度随溶质含量增加而变弱，义线但除非形成大量的共晶相，义线溶质含量增大时，局部的晶界迁移仍能发生; (ii)在冷速远高于水淬的情况下（1690°C/s），凝固晶界仍能发生显著的迁移，属于不受扩散控制的迁移，但迁移的距离与晶粒尺寸有关，（iii）在低溶质含量时，凝固晶界连同晶界三叉点均能发生大幅度迁移（例如50微米左右）。图4为利用该模型对其它6个凝固态合金系列(Al-Cu,Fe-C,Cu-Sn,Ti-Cr,Zr-Mo,Al-Mg)晶界迁移的验证，浩辰可以看出图中来自文献中的这些合金系列的凝固晶界迁移阻力因子都较低，浩辰而实际中这些合金都存在显著的凝固晶界迁移，显示了模型在其它合金系列中的高度有效性。e,f图c中锡和镁的能量色散光谱面分布图（EDS），电气显示枝晶间区锡（e）的富集和镁（f）的贫化，色标的单位为counts/s。

自定这些实验观察直接确定了凝固晶界迁移的驱动力是凝固刚结束状态的系统能量与晶界接近或达到平衡态时系统能量的差别。该参数考虑了在凝固过程中（i）溶质在固相中的反向扩散(backdiffusion),（ii）凝固冷却速度，义线（iii）实际凝固温度区间，义线以及（iv）凝固后期枝晶粗化对溶质在最后液膜中浓度大小的综合影响。

浩辰图1凝固晶界的位置与不同取向枝晶胞间的界面的对应关系示意图。

电气这一现象可概括称之为凝固晶界的迁移（SGBM）。更早时候，自定小米电视SPro还曾发布100英寸超大屏电视，拥有384控光分区，售价17999元。

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